Институту физики в 2012 году исполнилось 55 лет.
Зарождение физической науки в Дагестане произошло с приездом в 1950 году в республику известного ученого академика АНАзCCР Хабибулы Ибрагимовича Амирханова (впоследствии член-корреспондент АН СССР).
Была создана лаборатория по изучению физических свойств полупроводников и ряда проблем, теплофизики и геофизики (руководителем лаборатории был назначен Кажлаев М.А. В 1955 году лаборатория была преобразована в отдел физики).
В 1957 году распоряжением АН СССР, подписанном президентом АН СССР академиком Несмеяновым А.Н. отдел физики был реорганизован в Институт физики Дагестанского филиала АНСССР. Первым директором института был назначен Х.И. Амирханов.
Первый директор Института физики член-корреспондент АН СССР, академик АН Азерб.ССР Амирханов Х.И.
В 1986 году, после смерти первого директора Института физики Амирханова Х.И. исполняющим обязанности директора института был назначен доктор физико-математических наук Баширов Р.И. В 1988 году общим собранием Отделения общей физики и астрономии был избран на конкурсной основе директором доктор физико-математических наук Камилов И.К. Институт получил ряд пионерских результатов в области физиков полупроводников, теплофизики, геофизики и физики фазовых переходов.
В настоящее время общая численность сотрудников института – 189 человек.
из них:
научных сотрудников – 114.
В числе сотрудников института:
члены-корреспонденты РАН – 2 (Камилов И.К., Муртазаев А.К.),
доктора наук – 16, кандидаты наук – 47,
заслуженные деятели науки Российской Федерации – 2 (чл.-корр. РАН Камилов И.К., д.т.н. Абачараев М.М.),
заслуженные деятели науки Республики Дагестан – 11 (чл.-корр. РАН Камилов И.К., чл.-корр. РАН Муртазаев А.К., д.т.н. Абачараев М.М., д.ф.-м.н. Бабаев А.А., д.т.н. Батдалов А.Б., д.ф.-м.н. Гаджиалиев М.М., д.т.н. Дорохов А.Ф., д.ф.-м.н. Зобов Е.М., к.ф.-м.н. Магомедов Я.Б., к.т.н. Мирская В.А., д.т.н. Степанов),
заслуженный изобретатель Республики Дагестан – 1 (Алиев Ш.М.).
За время существования Института физики 3 авторских коллектива ученых были награждены Государственной премией Республики Дагестан. В 1991 году за работу «Научные основы обеспечения народного хозяйства достоверными данными о теплофизических свойствах технически важных жидкостей и газов» авторскому коллективу (Абдулагатов И.М., Адамов А.П., Алибеков Б.Г., Вихров Д.И., Мирская В.А., Мурсалов Б.А., Степанов Г.В.) присуждена государственная премия Дагестанской АССР имени Х.И. Амирханова, в 1994 году сотрудникам института Амирханову Х.И., Баширову Р.И., Закиеву Ю.Э., Гаджиалиеву М.М., Исмаилову З.А., Моллаеву А.Ю. за работу «Экспериментальное исследование влияния спинового расщепления уровней Ландау на явления переноса в полупроводниках», а в 2004 году Атаеву Б.М., Бабаеву А.А. и Магомедову Х.А. за научный труд «Плазменные газофазные технологии получения и физические свойства широкозонных полупроводниковых материалов и структур на их основе» присуждены Государственные премии Республики Дагестан.
В 2010 году Институт физики стал Лауреатом конкурса «100 лучших организаций России. Наука. Инновации. Научные разработки». Директор института награжден знаком «Ученый года».
Член-корреспондент РАН Муртазаев А.К.
В 2017 году врио директора был назначен к.ф.-м.н. Хизриев К.Ш.
Структура института включает:
Отдел физики фазовых переходов (руководитель: чл.-корр. РАН Камилов И.К.)
1. Лаборатория магнетизма и физики фазовых переходов (руководитель: чл.-корр. РАН Камилов И.К.)
2. Лаборатория вычислительной физики и физики фазовых переходов (руководитель: чл.-корр. РАН Муртазаев А.К.).
3. Лаборатория термодинамики жидкостей и критических явлений (руководитель: д.т.н. Степанов Г.В.).
4. Лаборатория физики высоких давлений и сверхтвердых материалов (руководитель: к.ф.-м.н. Моллаев А.Ю.).
5. Лаборатория нелинейной динамики (руководитель: к.ф.-м.н. Алиев К.М.).
6. Лаборатория физики низких температур и сверхпроводимости (руководитель: д.ф.-м.н. Батдалов А.Б.).
7. Лаборатория теплофизики и термоэлектричества (руководитель: д.ф.-м.н. Каллаев С.Н.).
8. Базовая кафедра Института физики «Магнетизм и физика фазовых переходов» на физическом факультете Дагестанского государственного университета (руководитель: чл.-корр. РАН Камилов И.К.).
Отдел физики полупроводников (руководитель: д.ф.-м.н. Гаджиалиев М.М.)
1. Лаборатория физики полупроводников (руководитель: д.ф.-м.н. Гаджиалиев М.М.).
2. Лаборатория оптических явлений в конденсированных средах (руководитель: д.ф.-м.н. Бабаев А.А.).
3. Криогенная станция (руководитель: Сулейманов З.Б.)
4. Центр высоких технологий и наноструктур (руководитель: к.ф.-м.н. Абдуев А.).
Отдел физико-технических проблем машиноведения (руководитель: д.т.н. Абачараев М.М.)
Лаборатория контрольно-измерительных приборов (руководитель: Идрисов Э.М.)
Экспериментальные мастерские (руководитель: Магамадалиев Э.А.)
Электронная библиотека (руководитель: к.ф.-м.н. Алиев А.)
Центр развития ребенка «Кристаллик» (руководитель: Ичалова П.Р.)
Ученый совет Института физики
Достижения мирового уровня
В институте впервые в мире:
– обнаружен эффект абсолютного отрицательного сопротивления, ступенчатые осцилляции тока, многозначности и Z-образие на вольтамперных характеристиках туннельных диодов как отклик нелинейных систем на внешние гармонические и шумовые возмущения большой амплитуды;
– обнаружено, что эффект Эттингсгаузена в плазме продольного автосолитона блокируется диамагнетизмом при Θ-пинче;
– предсказан эффект бинарного квантового солитона из сверхпроводящих и одновременно сверхтекучих (анти-Абрикосовских) вихрей в конденсате тяжелых бозонов Хиггса-Вайнберга-Салама;
– обнаружено явление «теплового» выпрямления в полупроводниках;
– предложен и реализован альтернативный способ и устройство по выпрямлению электрического тока, получившее название термостимулированного диода;
– обнаружен и исследован тепловой аналог статического скин-эффекта в компенсированных металлах с закрытой поверхностью Ферми;
– вытеснение теплового потока в при поверхностный слой образца в магнитном поле при низких температурах;
– обнаружено влияние спинового расщепления нулевого уровня Ландау на осцилляции Шубникова - де Газа;
– выявлены новые особенности фазовых диаграмм в критической и закритической областях сложных жидких систем;
– обнаружены новые эволюционные (синергетические) сценарии развития хаотического состояния в электронно-дырочной плазме полупроводников;
– заложены основы магнитотермодинамики ВТСП в критической, флуктуационной области;
– установлено существование критического состояния в твердых телах (прежде всего магнитных) и осуществлена наиболее полная экспериментальная проверна выводов современной теории критических явлений, скейлинг-теории и e-разложения;
– обнаружена инверсия знака эффекта Маджи - Риги - Ледюка в магнетите;
– методами Монте-Карло определены статические и динамические классы универсальности моделей реальных магнитных структур и сверхрешеток, а также спиновых систем с фрустрациями и немагнитными примесями;
– проверена справедливость принципиальных основ теории конечно-размерного скейлинга для моделей с кроссоверными переходами;
– предложены новые способы определения спонтанной намагниченности и спонтанной магнитнострикции;
– обнаружена мультикритическая точка Лифшица;
– созданы основы скейлинг-теории магнитоупругости;
– обнаружено существование бесщелевого состояния в полупроводниках;
– выделен новый класс полупроводников - квазибесщелевые полупроводники - промежуточный между идеальными и неупорядоченными полупроводниками;
– выдвинута и обоснована динамическая модель строения ионных расплавов;
– получена лазерная генерация света в монокристаллических слоях А2В6 при оптическом однофотонном возбуждении;
– установлены новые особенности поведения сегнетоэлектриков с несоразмерными структурами в области фазовых переходов;
– предсказан эффект взрыва светового конуса Вавилова - Черенкова в критической точке жидкость - пар;
– обнаружена примесная люминесценция в халькогенидных стеклообразных полупроводниках;
– обнаружен эффект подавления сегнетоэлектричества малыми одноосными механическими деформациями;
– найдены устойчивые многокубитные квантовые состояния, представляющие собой матричные солитоны в атомарных конденсатах Бозе - Эйнштейна;
– в кремнии обнаружен эффект увеличения заселенности возбужденных состояний донорных примесей в электрическом поле, который может использоваться при создании террагерцового лазерного источника излучения.
– экспериментально доказано существование в полупроводниках быстрых (α-) и медленных (β-) центров прилипания и влияние на их кинетические пара метры упругих и электрических полей макроспических дефектов кристаллической решетки и др.
За 55 лет существования института опубликовано 46 монографий, 3 из которых изданы в США и 16 сборников научных трудов. Только за период с 2007 года по настоящее время опубликовано свыше 1200 работ в отечественных и зарубежных изданиях, из которых 6 монографий.
Успешно развивается международное сотрудничество с зарубежными научными центрами.
На протяжении ряда лет ведутся совместные исследования с университетом г. Упсала (Швеция) и Санкт-Петербургским государственным университетом по исследованию термодинамических и критических свойств моделей магнитных сверхрешеток; наноструктированных манганитов с Исфаганским технологическим университетом, Иран; ленточных образцов сплавов Гейслера с Университетом г. Овьедо, Испания; тепло- и электрофизических свойств сегнетокерамики на основе оксидов, Институт физики при Латвийском университете, г. Рига; тепло- и электрофизических свойств соединений переменного состава на основе сульфидов РЗМ, Мюроранский институт технологии, Япония, г. Мюроран; термических и калорических свойств диэтилового эфира с Национальным Институтом Стандартов и Технологий, США.
Совместные исследования в рамках договоров о научно-техническом сотрудничестве проводятся с Институтом физики Национальной Академии наук Азербайджана и Межведомственного отделения электрохимической энергетики НАН Украины.
Молодые ученые института принимают активное участие в работе Международных конференций. С 2008 г. по 2012 г. они выступили с докладами на конференциях в более 20 странах: США, Франция, Англия, Италия, Германия, Испания, Греция, Польша и др.
Под руководством члена-корреспондента РАН И.К. Камилова продолжает успешно развиваться научная школа, имеющая статус ведущей научной школы РФ по изучению фазовых переходов и критических явлений в конденсированных средах.
Ведущая школа Дагестанских физиков в области физики фазовых переходов получила мировую известность. Она зарождалась во второй половине прошлого века и за небольшой промежуток времени заняла прочное место в области физики конденсированного состояния вообще. Научная школа занимает достойное место на международной арене.
Участники Международной конференции «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах»
Врио директора: к.ф.-м.н. Хизриев К.Ш.
Адрес: Россия, респ. Дагестан, 367003, г. Махачкала, ул. Ярагского, 94; пр. имама Шамиля, 39а.
Тел./факс.: +7 (8722) 62-89-00
Www.: www.dagphys.ru
Email: dagphysics@mail.ru
Телефоны:
(8722)
67-06-20
(8722)
67-06-11
Факс:
(8722)
67-49-65
Председатель ДФИЦ РАН
Муртазаев Акай Курбанович