В монографии обобщены и проанализированы результаты исследований фото-, термоэлектрических и оптических свойств соединений группы A²B⁶ и Ln₂X₃, в которых в той или иной степени проявляется стремление макроскопических дефектов кристаллической структуры вовлечь в область своего активного влияния точечные дефекты – электронные ловушки. Появление нетривиальных свойств в отдельных полупроводниковых материалах объяснено на основе «симбиоза» точечных и макроскопических дефектов кристаллической структуры. Приводятся характеристические параметры и физико-химическая природа электронных ловушек.

Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся изучением полупроводников и работников, занимающихся изучением полупроводников и разработкой на их основе элементов оптоэлектроники, преподавателей, аспирантов и студентов ВУЗов.

Вернуться к новостной ленте